对您来说，手机只是为了方便通信还是生活中不可或缺的伙伴？我来谈谈如何分辨。在疫情发生之前，我参加了一次会议。会议主持人当时做了一项实验，目的是证明我们对先进技术的依赖，或者说先进技术对我们的影响。实验过程是这样的：在剧院式的会场里约有一千人就座。主持人让大家将自己的手机交给坐在右边的邻座。在大多数情况下，这个邻座并不是我们认识的人。然后，由邻座将手机传给他们右边的邻座，再由他们传给下一个右边的邻座。整场实验只持续了几分钟。开始的时候大家只是发出紧张的笑声，很快他们表现出明显的不适。当手机远离他
CISSOID、NAC和Advanced Conversion三强联手开发高功率密度碳化硅（SiC）逆变器
高温半导体和功率模块领域的领导者CISSOID宣布，公司已与NAC Group和Advanced Conversion（为要求严苛的应用提供高性能电容器的领导者）开展合作，以提供紧凑且优化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆栈。该功率堆栈结合了CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器，可进一步与控制器板和液体冷却器集成，为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器（见下图）的设计提供完整的硬件和软件平台。CIS
知名科技分析师郭明錤发布Twitter称由于Meta减少硬件投资和经济衰退风险，预测2022年Meta VR/头戴式设备出货量下调25-35%（此前预测40%），订单减少主要在2022年下半年，从原有预期1000-1100万台下调至700-800万台。此外，Meta还推迟了所有原定2024年后的AR/MR项目。Meta在2014年收购了Oculus，知道设备对自己的元宇宙计划很关键，希望在苹果、微软和谷歌等其他公司开始推出替代产品之前占据主导地位。Meta作为元宇宙的“先锋”，相关设备出货量下调的消息无疑
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度凯时k66体育。但尽管如此，工程师需要了解器件的静态和动态性能以及关键影响参数，以实现他们的设计目标。在下面的文章中，我们将为您提供更多关于这方面的见解。温度对CoolSiC™ MOSFET导通特性的影响MOSFET静态输出特性的关键参数是漏极-源极导通电阻RDS(on)。我们定义了CoolSiC™ MOSFET不同温度下的输出特性曲线左侧所述。阈值电压VGS(th)遵循器件的物理原理，随着温度的
三星电子今日否认了韩国当地媒体《东亚日报》有关延后3nm量产的报道。《东亚日报》此前报道称，由于良率远低于目标，三星3nm量产将再延后。三星一位发言人通过电话表示，三星目前仍按进度于第二季度开始量产3nm芯片。据了解到，昨天韩媒BusinessKorea消息称，三星为赶超台积电，加码押注3nm GAA技术，并计划在2025年量产以GAA工艺为基础的2nm芯片。消息称，三星在6月初将3nm GAA工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用GAA技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台
6月23日消息，最新曝光的内部备忘录显示，特斯拉公司计划在7月的前两周暂停其上海工厂的大部分生产，以进行现场升级，旨在提高汽车产量。备忘录显示，升级后，特斯拉希望在7月底前将上海工厂的产量提高至新的水平，以更接近其每周生产2.2万辆汽车的预期目标。两名知情人士此前表示，由于新冠肺炎疫情的影响，特斯拉原定于5月中旬在上海工厂实现每周生产8000辆Model 3和14000辆Model Y的计划被推迟。而自6月中旬以来，上海工厂每周共生产1.7万辆Model 3和Model Y。特斯拉没有立即回应置评请求相位阶跃，但
CVPR速递：中国投稿数最高，占全部的44.59%；同济大学、阿里集团拿下最佳学生论文奖；黄煦涛纪念奖花落斯坦福大学教授李飞飞；《Learning to Solve Hard Minimal Problems》获最佳论文奖。除此之外，值得一提的是，今年CVPR大会特设了缅怀近期因病去世的青年AI科学家孙剑的环节，现场播放了一段由孙剑的亲友及同事们所制作的纪念视频。视频播放结束后，现场持续了十几秒的掌声。当地时间6月21日，全球计算机视觉和模式识别领域的顶级会议CVPR（Conference o
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出其电平转换器系列的新晋产品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展，先进SOC的核心电压也正逐渐下降。此发展趋势导致对电压转换器的需求日益增加，以将SOC连接到其他标准处理设备和I/O端口（如传统的Class B和Class C SIM卡）。 NXT4557GU和NXT4556UP是双电源转换器，支持主机处理器侧1.08 V至1
Amphenol 授予 Digi-Key Electronics 2021 年度优质数字服务最佳表现奖
全球供应品类丰富、发货快速的现货电子元器件分销商 Digi-Key Electronics，在 5 月 10 日至 13 日拉斯维加斯 2022 EDS 领导峰会上获得了 Amphenol 授予的 2021 年度优质数字服务最佳表现奖三相串励电动机隔离度性能。Digi-Key 在 2022 EDS 领导力峰会上获得了 Amphenol 授予的 2021 年度优质数字服务最佳表现奖。Digi-Key 全球供应商管理副总裁 David Stein 表示：“感谢 Amphenol 授予 Digi-Key
纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt
NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。可广泛应用于Ÿ 光伏、储能等新能源领域Ÿ 空调压缩机、工业电机驱动Ÿ 高效高密度工业、通信、服务器电源Ÿ 半桥、全桥、LLC电源拓扑如下图NSD1624功能框图所示，纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW
随着人工智能的高速发展和演进，机器视觉作为制造业智能转型的重要技术之一，其市场规模迅速增长。基于此，英特尔近日携手信步科技充分发挥双方的先进技术优势，共同推出一系列基于英特尔架构的机器视觉开发套件。这也是英特尔在机器视觉领域，首次与原始设计制造商（ODM）共同推出软硬一体的机器视觉开发套件，为客户提供更加完整、高效、便利的开发环境，从而更有效地助力制造业朝着智能化和信息化的方向演进。
意法半导体推出即用型安全汽车进入车载系统芯片解决方案，符合车联网联盟数字车钥匙标准3.0版
v 整合基于行业标准认证的 ST33K-A安全芯片的安全单元和Java® Card 平台，以及 G+D Digital Key® 小程序，为开发安全汽车进入系统提供系统芯片解决方案v 提高用车便利性和安全性，符合车联网联盟 (CCC)最新的数字车钥匙标准服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出一个能够加快数字车钥匙开发的新平台。有了数字钥匙，消费者可以通过移动设备，无需钥匙也能进入汽车。除了加强安全性
Microchip推出全新8位单片机开发板，可连接5G LTE-M窄带物联网网络
物联网网络开发人员希望在设计应用中便捷地实现安全蜂窝连接，但却面临着复杂的设计和高昂的部署成本。为了给那些对位置灵活性、低功耗和部署简单性有严格要求的网络设计人员提供解决方案，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出基于AVR128DB48 8位单片机（MCU）的AVR-IoT 蜂窝迷你开发板。该解决方案为在5G窄带物联网网络上构建传感器和执行器节点提供了强大的平台。 AVR-IoT 蜂窝迷你开发板是一款小尺寸（SFF）板，是希望将物联网设备连接到现有5G网络的开
2022年6月21日，佳能（中国）有限公司（以下简称“佳能”）宣布正式签约第五届中国国际进口博览会，连续第五年以参展商身份加入这一年度盛会。今年恰逢佳能（中国）成立25周年，在这个具有里程碑意义的年份中，佳能将在本届进博会上展出佳能“面向2035年在中国发展目标”的战略性技术数据分析仪、产品及解决方案。 &nbs
Rokid公司采用莱迪思FPGA 实现工业级X-Craft AR头盔的视频功能
莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商，今日宣布Rokid公司选择莱迪思CrossLink™系列FPGA用于其最新的工业级、5G X-Craft增强现实（AR）头盔。X-Craft专为石油和天然气、电力、航空、铁路运输等复杂和高风险的环境而设计，采用了低功耗、高可靠性和小尺寸的莱迪思FPGA来实现头盔的MIPI®视频接口。Rokid硬件产品总监刘志能先生表示：“我们很高兴与莱迪思合作，他们的低功耗、小尺寸、高带宽解决方案产品可以帮助我们优化用户体验并提高效率，这些方案在Rokid X-
